CGD为数据中心、逆变器等更多应用推出新款低热阻GaN功率IC封装目中无人
时间:2024-12-10 21:52:09 出处:百计阅读（143）
无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaNDevices 开发了一系列高能效 GaN功率器件，数据致力于打造更环保的中心阻电子器件。CGD今日推出两款新型 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 封装，逆变它们具有低热阻并便于光学检查。更多功率目中无人这两种封装均采用经过充分验证的应用 DFN 封装，坚固可靠。推出
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BHDFN-9-1（底部散热器 DFN）是新款一种底部冷却式组件，同样采用侧边可湿焊盘技术，低热便于光学检查。封装其热阻为0.28 K/W，数据比肩或优于其他领先设备。中心阻修心养性BHDFN的逆变外形尺寸为10x10 mm，虽然比常用的更多功率 TOLL 封装更小，但具有相似封装布局，应用因此也可以使用 TOLL 封装的推出 GaN 功率 IC 进行通用布局，便于使用和评估。拭目以待
“新型封装是我们战略的一部分，为了使客户将我们的 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 用于服务器、数据中心、逆变器/电机驱动器、微型逆变器和其他工业应用，依依不舍获得它们带来的更高的功率密度和效率优势。这些应用不仅对设备的要求更高、同时要求设备坚固可靠、易于设计。新型封装支持并扩展了ICeGaN™ 产品系列的聪明睿智这些固有特性。” |
提高热阻性能有以下好处：第一，在相同的RDS(on)下可以实现更多的功率输出。设备在相同功率下也能以较低的温度运行，因此需要较少的散热，从而降低了系统成本。事必躬亲第二，更低的工作温度也会带来更高的可靠性和更长的寿命。最后，如果应用需要更低的成本，设计者可以使用具有较高RDS(on)的虽死犹荣低成本产品来实现所需的功率输出。
采用新型封装的 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 封装产品将于2024年6月11日至13日在德国纽伦堡举行的 PCIM 展览上首次公开展示。CGD的展位号为7-643。欢迎用户莅临参观和了解这些产品。